2015年11月19号，Altera公司今天公开业界第一款异构系统级封装(SiP，System-in-Package)器件，集成了来自SK Hynix的堆叠宽带存储器(HBM2)以及高性能Stratix® 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一类器件，其特殊的体系结构设计满足了高性能系统对存储器带宽最严格的要求。

数据中心、广播、固网和高性能计算等系统要处理的数据量不断攀升，需要的带宽非常高。相对于目前的分立DRAM解决方案，Stratix10 DRAM SiP的存储器带宽提高了10倍。Altera是将这种突破性的3D堆叠存储器技术和FPGA集成在一起的第一家公司。还没有其他可编程解决方案在性能、功效和存储器带宽上达到Stratix 10 DRAM SiP的水平。

Altera的异构SiP产品是使用Intel的嵌入式多管芯互联桥接(EMIB，Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)技术来实现的。EMIB技术采用高性能、高密度硅片短桥接在单个封装中将多个管芯连接起来。EMIB技术的管芯之间走线非常短，与其他实现方案相比相比，性能更好，吞吐量更大，而功耗更低。Altera将采用异构SiP技术在未来产品中不断集成更多先进的组件，例如，存储器、处理器、模拟、光和各类硬核协议。

SK Hynix的宽带存储器不但带宽非常高，而且功耗低于当前分立存储器解决方案。宽带存储器(HBM2，High-Bandwidth Memory)纵向堆叠了DRAM管芯，使用直通硅片过孔(TSV，through-siliconvias)和微焊球将其连接起来。在异构SiP中集成HBM2，这种实现方式使得Altera能够将DRAM存储器尽可能靠近FPGA管芯进行封装，从而缩短了走线长度，以最低功耗实现最大存储器带宽。

高性能应用推动了业界对HBM2 DRAM技术的需求。SKHynix美国技术营销副总裁Kevin Widmer说：“达到每秒256GB带宽，每比特功耗降低66%，HBM2开辟了新应用领域，这在以前是不可想象的。在单个系统级封装中集成高性能FPGA和HBM2，为高能效、宽带计算功能树立了重大的里程碑。”

供货信息

客户现在可以使用快速前向编译性能评估工具启动其Stratix 10设计。Altera将于2016年开始发售Stratix 10 FPGA和SoC，于2017年开始发售Stratix 10 DRAM SiP产品。www.altera.com/technology上更详细的介绍了Altera的Stratix10 DRAM SiP。关于Altera的Stratix 10 DRAM SiP产品的详细信息，请联系您当地的Altera销售代表。